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TeraSense系列的太赫兹源（IMPATT二极管）又名硅双漂移二极管，具有0.6μm传输区域，安装在铜散热片上。双漂移二极管中的各层是：重掺杂（p+）-区域、中等掺杂（p+）-区域、中度掺杂n-区域和重掺杂（n+）-区域。（p+）和（n+）-区域允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来产生和维持振荡。优化频率为100GHz时，该太赫兹源的典型输出射频功率（rfpower)可达100mW。这使得它们可以与倍增器一起使用，以达到远太赫兹光谱范围内的频率。
300GHz太赫兹源-太赫兹固态源-太赫兹发生器-THz Source 产品描述：
300GHz太赫兹源-太赫兹固态源-太赫兹发生器-THz Source 美国TERASENSE公司研发太赫兹、亚太赫兹成像系统及器件，利用新的技术生产半导体材料的室温工作太赫兹波探测器，高功率太赫兹发生器。TeraSense太赫兹源（IMPATT二极管）是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz， 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。IMPATT二极管具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。此外，与其他类型的微波负阻二极管相比，基于IMPATT的发生器有可能实现更高的输出功率水平。IMPATT发生器也被证明是最有效、经济效益高的高频和大功率电源之一，使用寿命长，运行稳定可靠。Terasense现在提供新一代的太赫兹源。升级后的IMPATT二极管配备了一个保护隔离器，显著提高了输出功率的稳定性。并且现在有圆形输出端口和喇叭形输出端口两种选项客供客户选择，可以灵活的与线型和面阵型的太赫兹相机匹配。
TeraSense系列的太赫兹源（IMPATT二极管）又名硅双漂移二极管，具有0.6μm传输区域，安装在铜散热片上。双漂移二极管中的各层是：重掺杂（p+）-区域、中等掺杂（p+）-区域、中度掺杂n-区域和重掺杂（n+）-区域。（p+）和（n+）-区域允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来产生和维持振荡。优化频率为100GHz时，该太赫兹源的典型输出射频功率（rfpower)可达100mW。这使得它们可以与倍增器一起使用，以达到远太赫兹光谱范围内的频率。
产品特点：
- 多种输出端口可选
- 多个输出频率选项
- 与Tearsense太赫兹相机完美匹配
- 高输出功率
- IMPATT技术
- 保护隔离器可增强稳定性
- TTL调制
- 可拆卸喇叭天线
- 低成本和紧凑的尺寸
300GHz太赫兹源-太赫兹固态源-太赫兹发生器-THz Source 应用范围：
- 太赫兹成像
- 安检系统 l
- 食品/农产品检测
- 非金属材料（塑料、陶瓷、木材等）检测
- 艺术品/文物无损检测
可选配项：
- 喇叭形输出端口
技术参数：
型号：IMPATT-180/10-H/F
- 工作频率：~180GHz
- 输出功率：~10mW
- 输出类型：锥形喇叭天线（刚性固定）或WR-4.3 flange
- TTL调制（上升/下降时间 1us）
型号：IMPATT-200M/50-H/F
- 工作频率：~200GHz
- 输出功率：~50mW
- 输出类型：WR-4 flange
- 倍频器（x2）
- TTL调制（上升/下降时间1us）
型号：IMPATT-280M/25-WR3.4-F/H
- 工作频率：~280GHz
- 输出功率：~25mW
- 输出类型：WR-3.4 flange
- 倍频器（x2）
- TTL调制（上升/下降时间1us）
应用图片：
